• Physique

Institut des nanosciences de Paris | INSP

INSP

  • Unité mixte de recherche

Le thème fédérateur de la recherche menée à l’INSP est la mise en évidence et la compréhension des propriétés nouvelles qui surgissent chaque fois que des phénomènes physiques se trouvent confinés dans des objets de taille inférieure à leur longueur caractéristique. Une attention particulière est portée au contrôle et à la caractérisation des interfaces entre ces petits objets et leur environnement. L’INSP regroupe de larges compétences, tant en termes de moyens de fabrication (croissance d’agrégats, auto-organisation, épitaxie par jet moléculaire, ablation laser, lithographie, etc.) que de moyens de caractérisation et d’études (spectroscopies-microscopies à haute résolution, sondes locales, source d’ions rapides et d’ions multichargés, simulation numérique, etc.).

Tutelle hébergeante

  • Sorbonne Université

Autres tutelles

  • Centre National de la Recherche Scientifique | CNRS

Bâtis d’épitaxie par jet moléculaire, et d’ablation laser, salle blanche, spectroscopies-microscopies à champ proche (basses températures et forts champs magnétiques), diffractomètres X, source d’ions rapides et d’ions multichargés, Expériences pompe-sonde femtoseconde.

Publications

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  • Article dans une revue

Improving the thermoelectric performance of scandium nitride thin films by implanting helium ions

Hugo Bouteiller, Razvan Burcea, Charlotte Poterie, Danièle Fournier, Fabien Giovannelli, Johan Nyman, Younès Ezzahri, Sylvain Dubois, Per Eklund, Arnaud Le Febvrier, Jean-François Barbot

Ion implantation is a widely used technique to introduce defects in low-dimensional materials and tune their properties. Here, we investigate the thermoelectric properties of scandium nitride thin films implanted with helium ions, revealing a positive impact of defect engineering on thermoelectric…

Communications Materials, 2025, 6, pp.30. ⟨10.1038/s43246-025-00741-2⟩. ⟨hal-04951416⟩

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75252 PARIS CEDEX 05
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Institut des NanoSciences de Paris
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