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SiC MOSFET structure at the die level with AFM sMIM Mode

Rosine Coq Germanicus, Mahima Chaudhary, Kimmo Niskanen, Xavier Larose, Vanessa Chazal, Guillaume Bascoul

For the enhancement of Silicon Carbide (SiC) processes and reliability assessments, precise and comprehensive characterization of the structural and local electrical properties of semiconductor layers at the die level is crucial. In this study, the die-level structure of a commercial SiC MOSFET is…

2024 IEEE 11th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA), 2024, pp.1-6. ⟨10.1109/wipda62103.2024.10773106⟩. ⟨hal-04838098⟩

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Laboratoire de Physique et d’Étude des Matériaux, École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles, 10 Rue Vauquelin, Bat. C, 75231 PARIS CEDEX 05
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École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles
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